[자연과학] 전자전기설계實驗 - MOSFET (MOSFET Amplifier Circuit)
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작성일 20-03-26 19:26
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experiment(실험)한 결과,
Introduction (
2N7000
결과 예측
VGS〓-5.348nV IDS〓 16.03pA VGS〓-12.943nV IDS〓 31.22pA (온도 : 80도) Rs 〓 0 일경우 Rg1을 18M로 alteration(변화) 시켰을 때 VGS
IDS 값이 비슷하게 나왔다. experiment(실험)한 결과,
Introduction (
2N7000
결과 예측
VGS〓-5.348nV IDS〓 16.03pA VGS〓-12.943nV IDS〓 31.22pA (온도 : 80도) Rs 〓 0 일경우 Rg1을 18M로 alteration(변화) 시켰을 때 VGS
IDS 값이 비슷하게 나왔다. 온도가 80도일 때도 Rs 〓 0 일경우 Rg1을 18M로 alteration(변화) 시켰을 때 VGS IDS 값이 비슷하게 나왔다.
Materials & Methods (
( experiment(실험)도구 (
Function Generator, Oscilloscope, Power Supply, Multi-meter, 와이어, 빵판, 500Ω 2kΩ 10kΩ 20kΩ 1MΩ 6.7MΩ 저항, 2N7000, 47uF 캐패시터 3개
( experiment(실험)내용 (
[1-1] 사전보고서의 내용에 따라 Common-Source Amplifier를 설계하시오.
[1-2] MOS transistor가 Saturation 동작 영역에 있음을 검증하시오.
[2-1] 사전 보고서의 내용에 따라 [2-1~4]의 experiment(실험)을 수행하여 RS의 역할에 대하여 검증하시오. transistor의 온도를 alteration(변화) 시키기 위한 방법에 대하여 찾아보시오.
[3-1] Common-Source 증폭기의 Mid-Band Gain 값이 20dB이상이 되도록 증폭기를 설계하시오. 사전보고서를 통해 설계한 증폭기의 Gain값이 20dB 이상이 되지 못한다면 이를 해결하기 위한 방안(方案)을 고려하여 회로를 수정하시오.
[3-2] fL 및 fH…(To be continued )
순서
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레포트/자연과학
설명
다.
Materials & Method...
전자전기설계experiment(실험) - MOSFET (MOSFET Amplifier Circuit)
( 목 차 (
Abstract.
Introduction
Materials & Methods
Result
Discussion
Conclusion
Abstract (
이번 experiment(실험)은 transistor 2N7000의 特性(특성)을 알아보고, 이것을 사용한 Common-Source 증폭기 회로를 직접 구현해보고 그 特性(특성)을 이해한다.[자연과학] 전자전기설계實驗 - MOSFET (MOSFET Amplifier Circuit)
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전자전기설계experiment(실험) - MOSFET (MOSFET Amplifier Circuit)
( 목 차 (
Abstract.
Introduction
Materials & Methods
Result
Discussion
Conclusion
Abstract (
이번 experiment(실험)은 transistor 2N7000의 特性(특성)을 알아보고, 이것을 사용한 Common-Source 증폭기 회로를 직접 구현해보고 그 特性(특성)을 이해한다. 온도가 80도일 때도 Rs 〓 0 일경우 Rg1을 18M로 alteration(변화) 시켰을 때 VGS IDS 값이 비슷하게 나왔다.
